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Aula06: Varredura de Parâmetros  na Analise DC
 

A analise de varredura de parâmetros  DC, é uma analise DC na qual variamos um parâmetro de um  dispositivo (resistor capacitor, etc) ou o parâmetro de um modelo (beta, corrente de saturação, etc) entre dois limites. Os resultados são tabulados mostrando as correntes nos ramos escolhidos  e as tensões nos nós escolhidos.

Exemplo08: Como exemplo consideremos um transistor na configuração emissor comum, figura35.

Figura35: Transistor na configuração emissor comum - Varredura de parâmetros - Análise DC

No circuito da figura35, como exemplo, faremos uma análise varredura de parâmetros variando o beta (hf) de 200 a 400. Para isso deveremos efetuar os ajustes indo em Simular (Simulate)>> Analises (Analyses) ou clique no ícone 

Escolha >> Varredura de Parâmetros (Parameters Sweep). Na janela que aparecerá Parâmetros a serem Varridos (Parameters Sweep) deveremos escolher que parâmetros (dispositivo ou modelo) serão mudados, os limites, o passo e em Mais Opções (More Options) o tipo de analise a ser varrida. Selecionamos Parâmetros do Modelo (Model Parameters) , pois iremos variar um parâmetro do modelo, beta (bf),  e escolhemos os limites (bf=200 e bf=400) com passo (incremento) de 200.

Figura36: Janela Varredura de Parâmetros  com a aba Parâmetros para Analise (Analysis Parameters) selecionada e com os ajustes feitos


A seguir deveremos escolher que variáveis de saída serão apresentadas nos resultados. Por exemplo vamos  mostrar as corrente de coletor e de base e a tensão VCE, para isso deveremos selecionar a aba Variáveis de Saída (Output Variables). A  figura37 mostra o nó (3)  e os ramos que contém VBB e VCC  selecionados para serem analisados.

Figura37: Varredura de Parâmetros na Analise DC - Aba  Variáveis de Saída selecionada mostrando o nó 3 e os ramos  que contém VCC e VBB selecionado para analise 

A seguir  clicamos em Simular(simulate) os resultados aparecerão tabulados, Tabela1.
Tabela 1: Resultados da analise Varredura de Parâmetros  - Analise DC

Linha

Nó, Ramo, Transistor, Beta

Valores Simulados

1

3, ideal_npn__bjt_npn__1__1 bf=200

8,597649515

2

vvbb#branch, ideal_npn__bjt_npn__1__1 bf=200

-8,50587E-06

3

vvcc#branch, ideal_npn__bjt_npn__1__1 bf=200

-0,001701175

4

3, ideal_npn__bjt_npn__1__1 bf=400

5,223815816

5

vvbb#branch, ideal_npn__bjt_npn__1__1 bf=400

-8,47023E-06

6

vvcc#branch, ideal_npn__bjt_npn__1__1 bf=400

-0,003388092

Na tabela1 acima temos os seguintes resultados:

Linha1: Tensão no nó 3 (VCE) para beta=200    VCE = 8,597V

Linha2: Corrente no ramo vvbb (corrente de base)  para beta=200 I B= 8,5058uA

Linha3: Corrente no ramo vvcc (corrente de coletor)  para beta=200 I C= 1,7011mA

Linha4: Tensão no nó 3 (VCE) para beta=400     VCE = 5,2238V

Linha5: Corrente no ramo vvbb (corrente de base)  para beta=400 I B= 8,47uA

Linha6: Corrente no ramo vvcc (corrente de coletor)  para beta=400 I C= 3,388mA

Observar que os valores negativos para as correntes se devem à convenção adotada pelo SPICE.